盛美上海推出新型熱原子層沉積立式爐設(shè)備， 以滿足高端半導(dǎo)體的生產(chǎn)需求
2022-9-28 9:21:11
盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”)（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越設(shè)備供應(yīng)商，于今日宣布其對300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺進行了功能擴展，研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應(yīng)用。公司還宣布，首臺Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于本月底運往中國一家先進的邏輯制造商，并計劃于2023年底通過驗證。
盛美上海的董事長王暉表示：“隨著邏輯節(jié)點的不斷縮小，越來越多的客戶為滿足其先進的工藝要求，努力尋找愿意合作的供應(yīng)商共同開發(fā)。ALD是先進節(jié)點制造中增長最快的應(yīng)用之一，是本公司立式爐管系列設(shè)備的關(guān)鍵性新性能。得益于對整個半導(dǎo)體制造工藝的深刻理解和創(chuàng)新能力，我們能夠迅速開發(fā)全新的濕法和干法設(shè)備，以滿足新興市場的需求。全新ALD立式爐設(shè)備基于公司現(xiàn)有的立式爐設(shè)備平臺，搭載差異化創(chuàng)新設(shè)計，軟件算法優(yōu)化等實現(xiàn)原子層吸附和均勻沉積。”
盛美上海新型熱ALD設(shè)備可沉積氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。公司出廠的首臺Ultra Fn A設(shè)備將用于28納米邏輯制造流程，以制造側(cè)壁間隔層。此工藝要求刻蝕速率極低，且臺階覆蓋率良好，與其他實現(xiàn)模式相比，Ultra Fn A立式爐設(shè)備在模擬中實現(xiàn)了均一性的改善。
盛美上海Ultra Fn A設(shè)備以Ultra Fn立式爐設(shè)備平臺的成功為基礎(chǔ)，能滿足原子層沉積工藝的同時具備低累積膜厚氣體清洗功能，保證顆粒的穩(wěn)定性。Ultra Fn A立式爐設(shè)備聚焦核心技術(shù)研發(fā)，力求滿足高產(chǎn)能批式ALD工藝的高端要求?？赏ㄟ^簡單改變 微小的組件和細微的布局對設(shè)備進行個性化定制，這使得新型ALD工藝的開發(fā)得以迅速提升。其創(chuàng)新設(shè)計還巧妙融合了盛美上海成熟的軟件技術(shù)、可提高耐用性和可靠性的新硬件以及盛美上海自主研發(fā)專利工藝控制IP，以實現(xiàn)快速而穩(wěn)定的工藝控制。
