這三款Ultra C系列新產(chǎn)品的目標市場是先進集成電路領(lǐng)域，功率器件領(lǐng)域和先進晶圓級封裝（WLP）領(lǐng)域。晶圓背面清洗Ultra C b和槽式濕法清洗Ultra C wb設備現(xiàn)已在中國先進半導體廠的量產(chǎn)中證明了它們的優(yōu)勢。公司首臺刷洗設備Ultra C s也已在2020年第一季度交付中國客戶，在驗收合格后即可確認收入。
晶圓背面清洗設備
Ultra C b
Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設備，具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力，該設備三大關(guān)鍵應用分別為晶圓背面清洗工藝，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法硅刻蝕工藝，如晶圓背面濕法減薄或濕法硅通孔露出（TSV reveal）；以及晶圓回收工藝中的多晶硅層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓，適用于處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。
自動槽式清洗設備Ultra C wb，依托盛美研發(fā)的槽式與單片清洗集成設備Ultra C Tahoe的先進槽式技術(shù)基礎而開發(fā)，可以進行多達50片晶圓的批量清洗。自動槽式清洗設備的關(guān)鍵應用為爐管前清洗，RCA清洗，光阻去除，氧化層刻蝕，氮化硅去除，以及晶圓回收工藝中前段FEOL多晶硅/氧化硅層剝離去除，和后段BEOL金屬層剝離去除。該設備可針對不同的應用配置不同的化學藥液槽，如硫酸，磷酸，氫氟酸(HF)，緩沖氧化物刻蝕液(BOE)， SC1和SC2等化學藥液槽。晶圓依次在化學藥液槽中浸泡，經(jīng)去離子水(DI)沖洗，最后在ATOMO干燥模塊中以汽化的異丙醇(IPA)進行干燥，干燥后無水痕。該設備的模塊化設計和較小的占地面積，使其可靈活配置。槽式清洗設備Ultra C wb可高效地回收使用化學藥水，節(jié)能減排。該設備可運用于200毫米或者300毫米的晶圓清洗應用。
刷洗設備
Ultra C s
新型刷洗設備Ultra C s以盛美在晶圓級封裝領(lǐng)域（WLP）已驗證成功的刷洗技術(shù)為基礎，延伸應用于集成電路制造領(lǐng)域。其配備的軟刷可以采用精準的壓力控制以清洗晶圓邊緣及背面的顆粒。該設備配有先進的二流體（氣體和液體）噴淋清洗技術(shù)，還可選配盛美自己研發(fā)的空間交變相位移（SAPS™）兆聲波技術(shù)以滿足客戶更高的需求——更強勁的小顆粒去除能力。模塊化系統(tǒng)可配置8個腔體，用于集成電路制造領(lǐng)域300毫米的晶圓清洗，其中四個腔體用于正面清洗工藝，四個腔體用于背面清洗工藝。該刷洗設備性價比高，靈活性強、占地面積小、產(chǎn)能高。
