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應(yīng)用于集成電路先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的平面和圖形晶圓
盛美特有專(zhuān)利技術(shù)(中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利;專(zhuān)利號(hào):ZL 2009 1 0050834.2)——半導(dǎo)體襯底的清洗方法和裝置（SAPS），通過(guò)控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來(lái)實(shí)現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達(dá)到最優(yōu)化的清洗效果。
• 深溝道清洗
• CMP 后清洗
• Hard Mask 沉積后清洗
• Contact/Via 刻蝕后清洗
• Barrier Metal沉積前清洗
• 晶圓回收清洗
• EPI沉積前清洗
• ALD沉積前清洗
最多可配至8個(gè)腔體，產(chǎn)能225WPH
雙面清洗，最多可配5種清洗藥液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…
最多可回收兩種藥液
集成式藥液供給模塊
設(shè)備體積小：2.35m x 5.53m x 2.85m （寬x長(zhǎng)x高）
具有所有Ultra C SAPS II設(shè)備的功能
最多可配至12個(gè)腔體, 產(chǎn)能375 WPH
集成式化學(xué)藥液供給模塊
可配高溫IPA干燥的技術(shù)
設(shè)備體積?。?.35m x 6.7m x 2.85m （寬x長(zhǎng)x高）
