新型Ultra C VI系統(tǒng)充分利用盛美已被驗(yàn)證的多腔體技術(shù)，為存儲(chǔ)器制造商提高產(chǎn)能并降低成本。
作為先進(jìn)半導(dǎo)體器件的晶圓清洗技術(shù)領(lǐng)域中的卓越設(shè)備供應(yīng)商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（NASDAQ:ACMR）近日發(fā)布了Ultra C VI單晶圓清洗設(shè)備，這是Ultra C清洗系列的最新產(chǎn)品。Ultra C VI旨在對動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進(jìn)行高產(chǎn)能清洗，以實(shí)現(xiàn)縮短存儲(chǔ)產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。這款新產(chǎn)品以盛美成熟的多腔體技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)一步擴(kuò)展了清洗設(shè)備產(chǎn)品線。Ultra C VI系統(tǒng)配備了18個(gè)單片清洗腔體，對比盛美現(xiàn)有的12腔設(shè)備Ultra C V系統(tǒng)，其腔體數(shù)及產(chǎn)能增加了50%，而其設(shè)備寬度不變只是在長度有少量增加。
“存儲(chǔ)產(chǎn)品的復(fù)雜度不斷提高，但仍然對產(chǎn)量有嚴(yán)格的要求。”盛美董事長王暉博士表示：“當(dāng)清洗工藝的時(shí)間逐漸加長或開始采用更復(fù)雜的干燥技術(shù)時(shí)，增加清洗腔體能有效解決產(chǎn)能問題，讓先進(jìn)存儲(chǔ)裝置制造商保持甚至縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。我們的18腔清洗設(shè)備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數(shù)量配置，在實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能（wafer-per-hour）的同時(shí)，兼顧了與工廠自動(dòng)化能力的匹配，同時(shí)也能避免因腔體數(shù)量過多而面臨的設(shè)備宕機(jī)壓力。”
Ultra C VI可進(jìn)行低至1y節(jié)點(diǎn)及以下節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)DRAM產(chǎn)品和128層及以上層數(shù)的先進(jìn)3D NAND產(chǎn)品的單晶圓清洗。該設(shè)備可根據(jù)應(yīng)用和涉及的化學(xué)方法運(yùn)用于各種前道和后道工藝，如聚合物去除、中段鎢或后段銅工藝的清洗、沉積前清洗、蝕刻后和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后清洗、深溝道清洗和RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗。
